CNT生產(chǎn)的CVD（真空化學氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質(zhì)量TiC、SiC、SiO2、Si3N4  專用設備。淀積溫度能夠較高  (100～1800℃可調(diào)  )  ，它已成為機械制造工業(yè)、冶金工業(yè)、光學工業(yè)、半導體工業(yè)等領域微電子和光電子領域科研和生產(chǎn)不可缺少的設備。
        ※產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：

CNT公司CVD設備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統(tǒng)，電源，生長機體載體及溫控系統(tǒng)，獨立排氣和生長壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設備等組成。整機結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動控制與工控機自控控制可選。實現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜等。

參數(shù)名稱

單

位

型                                  號

CVD-4-18

CVD-8-18

CVD-12-18

CVD-16-18

CVD-20-18

額定功率

KW

  21

30

45

60

75

額定電壓

V

380

380

380

380

380

最高溫度

℃

1800

1800

1800

1800

1800

工作溫度

℃

≤1700

≤1700

≤1700

≤1700

≤1700

真空度

6.67pa

6.67pa

6.67pa

6.67pa

6.67pa

基片臺尺寸

直徑

4英寸

8英寸

12英寸

16英寸

20英寸

基片臺轉(zhuǎn)速

0-20RPM

0-20RPM

0-20RPM

0-20RPM

0-20RPM

保溫材料

V